募集要項

仕事内容

＊SRAM architecture design
＊Read and write critical path design and analysis
＊Design of key building blocks (sensing, analog, high voltage, DFT)
＊Chip-level design verification
＊Embedded non-volatile memory compiler and productization
＊Co-work with product/reliability engineer on silicon characterization and reliability qualification

ポジション

最大手ファンダリーのMemory Design Engineer and Manager

応募条件

■求める学歴
大学卒以上
■求める経験
＊The candidates should have at least bachelor degree with 10 years of experiences, master degree with 3 years of experience or PhD degree in relevant field.
＊Memory experts in the field of SRAM.
＊Familiar with bit cell characteristics (Vmin, bit cell performance, write margin), sense amplifier design, high sigma variation analysis, race check, margin signoff.
＊Knowledge on high speed and low Vmin design is a plus.
＊English is a plus

■マネジメント経験
不要

必要スキル

■求める英語レベル詳細
ビジネスレベル

求める人物像

Personal Attributes:
*Self-motivated in learning and problem-solving
* Good communication skill and a good team player
* Strong ownership and commitment

雇用形態

正社員

転勤

無

勤務地

神奈川県横浜市

年収

700万円～1,200万円

休日休暇

週休2日（土日）、祝日休、夏休み、年末年始休

担当者メッセージ

ビジネス好調な世界最大手のファンダリーでご活躍頂けます。

管理コード

担当コンサルタント

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