求人番号:71597

半導体専業ICファンドリーメーカー

最大手ファンダリーのMemory Design Engineer and Managerを募集します。

業種
半導体メーカー
職種
設計開発、半導体設計
年収
700万円~1,200万円
勤務地
神奈川県

募集要項

仕事内容
*SRAM architecture design
*Read and write critical path design and analysis
*Design of key building blocks (sensing, analog, high voltage, DFT)
*Chip-level design verification
*Embedded non-volatile memory compiler and productization
*Co-work with product/reliability engineer on silicon characterization and reliability qualification
ポジション
最大手ファンダリーのMemory Design Engineer and Manager
応募条件
■求める学歴
大学卒以上
■求める経験
*The candidates should have at least bachelor degree with 10 years of experiences, master degree with 3 years of experience or PhD degree in relevant field.
*Memory experts in the field of SRAM.
*Familiar with bit cell characteristics (Vmin, bit cell performance, write margin), sense amplifier design, high sigma variation analysis, race check, margin signoff.
*Knowledge on high speed and low Vmin design is a plus.
*English is a plus

■マネジメント経験
不要
必要スキル
■求める英語レベル詳細
ビジネスレベル
求める人物像
Personal Attributes:
*Self-motivated in learning and problem-solving
* Good communication skill and a good team player
* Strong ownership and commitment
雇用形態
正社員
転勤
勤務地
神奈川県横浜市
年収
700万円~1,200万円
休日休暇
週休2日(土日)、祝日休、夏休み、年末年始休
担当者メッセージ
ビジネス好調な世界最大手のファンダリーでご活躍頂けます。

管理コード

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